2013年電子科技行業(yè)前沿創(chuàng)新技術(shù)
時(shí)間:2020-05-23 09:37 來源:未知 作者:admin
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科技改變?nèi)祟惿睢r(shí)間推動(dòng)歷史的車輪一步步向前行進(jìn)，科技創(chuàng)新驅(qū)使現(xiàn)代生活一點(diǎn)一滴發(fā)生著改變。在即將過去的2013年里，電子科技行業(yè)給人們帶來了哪些亮眼的創(chuàng)新呢？意念控制正一步步走近現(xiàn)實(shí)；納米技術(shù)在電子科技行業(yè)漸漸展露頭角；新電池技術(shù)、無電池技術(shù)如科幻般進(jìn)入人們眼簾；中國一次次展現(xiàn)了科技強(qiáng)國的決心與堅(jiān)定的腳步。同志科技，作為中國電子專用設(shè)備的制造企業(yè)，也時(shí)刻關(guān)注著電子行業(yè)的科技創(chuàng)新。
首個(gè)半浮柵晶體管問世中國集成電路技術(shù)新突破
2013年8月9日出版的最新一期《科學(xué)》雜志（Science）刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)團(tuán)隊(duì)最新科研論文，該團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。這是我國科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的第一篇微電子器件領(lǐng)域的原創(chuàng)性成果。
據(jù)悉，當(dāng)代集成電路科技的發(fā)展主要是基于摩爾定律，該定律是由英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登?摩爾提出的：芯片上的晶體管特征尺寸在不斷地縮小，使得芯片上的晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍。
目前，集成電路的量產(chǎn)技術(shù)已發(fā)展到了22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，盡管我國在自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)集成電路技術(shù)上取得了長足進(jìn)步，但集成電路的核心技術(shù)基本上依然由國外公司擁有。我國集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進(jìn)和吸收國外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。半浮柵晶體管（SFGT）作為一種新型的微電子基礎(chǔ)器件，它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在芯片設(shè)計(jì)與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。
新型晶體管可在三大領(lǐng)域應(yīng)用 擁有巨大的潛在市場
作為一種新型的基礎(chǔ)器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應(yīng)用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM是一種具有高速靜態(tài)存取功能的存儲(chǔ)器，多應(yīng)用于中央處理器(CPU)內(nèi)的高速緩存，對(duì)處理器性能起到?jīng)Q定性的作用。傳統(tǒng)SRAM需用6個(gè)MOSFET晶體管才能構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元，集成度較低，占用面積大。半浮柵晶體管則可以單個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)速度接近由6個(gè)晶體管構(gòu)成的SRAM存儲(chǔ)單元。因此，由半浮柵晶體管（SFGT）構(gòu)成的SRAM單元面積更小，密度相比傳統(tǒng)SRAM大約可提高10倍。顯然如果在同等工藝尺寸下，半浮柵晶體管（SFGT）構(gòu)成的SRAM具有高密度和低功耗的明顯優(yōu)勢。
其次，半浮柵晶體管（SFGT）還可以應(yīng)用于DRAM領(lǐng)域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存。其基本單元由1T1C構(gòu)成，也就是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)。由于其電容需要保持一定電荷量來有效地存儲(chǔ)信息，無法像MOSFET那樣持續(xù)縮小尺寸。業(yè)界通常通過挖“深槽”等手段制造特殊結(jié)構(gòu)的電容來縮小其占用的面積，但隨著存儲(chǔ)密度提升，電容加工的技術(shù)難度和成本大幅度提高。因此，業(yè)界一直在尋找可以用于制造DRAM的無電容器件技術(shù)，而半浮柵晶體管（SFGT）構(gòu)成的DRAM無需電容器便可實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快！
在焊接技術(shù)上，同志科技生產(chǎn)制造的真空共晶爐，將為晶體管、微電子的焊接提供幫助。同志科技，與中國電子行業(yè)共同進(jìn)步！
首個(gè)半浮柵晶體管問世中國集成電路技術(shù)新突破
2013年8月9日出版的最新一期《科學(xué)》雜志（Science）刊發(fā)了復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院張衛(wèi)團(tuán)隊(duì)最新科研論文，該團(tuán)隊(duì)提出并實(shí)現(xiàn)了一種新型的微電子基礎(chǔ)器件：半浮柵晶體管（SFGT，Semi-Floating-Gate Transistor）。這是我國科學(xué)家在該頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表的第一篇微電子器件領(lǐng)域的原創(chuàng)性成果。
據(jù)悉，當(dāng)代集成電路科技的發(fā)展主要是基于摩爾定律，該定律是由英特爾公司創(chuàng)始人之一戈登?摩爾提出的：芯片上的晶體管特征尺寸在不斷地縮小，使得芯片上的晶體管數(shù)量每隔18個(gè)月便會(huì)增加一倍。
目前，集成電路的量產(chǎn)技術(shù)已發(fā)展到了22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)，盡管我國在自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)集成電路技術(shù)上取得了長足進(jìn)步，但集成電路的核心技術(shù)基本上依然由國外公司擁有。我國集成電路產(chǎn)業(yè)主要依靠引進(jìn)和吸收國外成熟的技術(shù)，在微電子核心器件及集成工藝上缺乏核心技術(shù)。半浮柵晶體管（SFGT）作為一種新型的微電子基礎(chǔ)器件，它的成功研制將有助于我國掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在芯片設(shè)計(jì)與制造上逐漸獲得更多話語權(quán)。
新型晶體管可在三大領(lǐng)域應(yīng)用 擁有巨大的潛在市場
作為一種新型的基礎(chǔ)器件，半浮柵晶體管（SFGT）可應(yīng)用于不同的集成電路。首先，它可以取代一部分的SRAM，即靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。SRAM是一種具有高速靜態(tài)存取功能的存儲(chǔ)器，多應(yīng)用于中央處理器(CPU)內(nèi)的高速緩存，對(duì)處理器性能起到?jīng)Q定性的作用。傳統(tǒng)SRAM需用6個(gè)MOSFET晶體管才能構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元，集成度較低，占用面積大。半浮柵晶體管則可以單個(gè)晶體管構(gòu)成一個(gè)存儲(chǔ)單元，存儲(chǔ)速度接近由6個(gè)晶體管構(gòu)成的SRAM存儲(chǔ)單元。因此，由半浮柵晶體管（SFGT）構(gòu)成的SRAM單元面積更小，密度相比傳統(tǒng)SRAM大約可提高10倍。顯然如果在同等工藝尺寸下，半浮柵晶體管（SFGT）構(gòu)成的SRAM具有高密度和低功耗的明顯優(yōu)勢。
其次，半浮柵晶體管（SFGT）還可以應(yīng)用于DRAM領(lǐng)域。DRAM（Dynamic Random Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存。其基本單元由1T1C構(gòu)成，也就是一個(gè)晶體管加一個(gè)電容的結(jié)構(gòu)。由于其電容需要保持一定電荷量來有效地存儲(chǔ)信息，無法像MOSFET那樣持續(xù)縮小尺寸。業(yè)界通常通過挖“深槽”等手段制造特殊結(jié)構(gòu)的電容來縮小其占用的面積，但隨著存儲(chǔ)密度提升，電容加工的技術(shù)難度和成本大幅度提高。因此，業(yè)界一直在尋找可以用于制造DRAM的無電容器件技術(shù)，而半浮柵晶體管（SFGT）構(gòu)成的DRAM無需電容器便可實(shí)現(xiàn)傳統(tǒng)DRAM全部功能，不但成本大幅降低，而且集成度更高，讀寫速度更快！
在焊接技術(shù)上，同志科技生產(chǎn)制造的真空共晶爐，將為晶體管、微電子的焊接提供幫助。同志科技，與中國電子行業(yè)共同進(jìn)步！
本頁關(guān)鍵詞：真空共晶爐,貼片機(jī),回流焊
